半导体设备说明？

一、半导体设备说明？

1、 单晶炉

单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶硅的设备。在实际生产单晶硅过程中，它扮演着控制硅晶体的温度和质量的关键作用。

由于单晶直径在生长过程中可受到温度、提拉速度与转速、坩埚跟踪速度、保护气体流速等因素影响，其中生产的温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知，单晶炉主要控制的方面包括晶体直径、硅功率控制、泄漏率和氩气质量等。

2、 气相外延炉

气相外延炉主要是为硅的气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体。外延生长是指在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。

气相外延炉能够为单晶沉底实现功能化做基础准备，气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

3、 氧化炉

硅与含有氧化物质的气体，例如水汽和氧气在高温下进行化学反应，而在硅片表面产生一层致密的二氧化硅薄膜，这是硅平面技术中一项重要的工艺。氧化炉的主要功能是为硅等半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。

4、 磁控溅射台

磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法可被用于制备半导体等材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。在硅晶圆生产过程中，通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。

5、 化学机械抛光机

一种进行化学机械研磨的机器，在硅晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻技术对晶圆表面的平坦程度的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中，1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。

化学机械研磨亦称为化学机械抛光，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。在实际制造中，它主要的作用是通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。

6、 光刻机

又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，常用的光刻机是掩膜对准光刻，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

7、 离子注入机

它是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等 。

在进行硅生产工艺里面，需要用到离子注入机对半导体表面附近区域进行掺杂，离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型，离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量角度和深度等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，降低了成本和功耗。

8、 引线键合机

它的主要作用是把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）链接起来。引线键合是一种使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下，引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散，从而使两种金属间实现原子量级上的键合。

9、 晶圆划片机

因为在制造硅晶圆的时候，往往是一整大片的晶圆，需要对它进行划片和处理，这时候晶圆划片机的价值就体现出了。之所以晶圆需要变换尺寸，是为了制作更复杂的集成电路。

10、 晶圆减薄机

在硅晶圆制造中，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求，因此在几百道工艺流程中，不可采用较薄的晶片，只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。晶圆减薄，是在制作集成电路中的晶圆体减小尺寸，为了制作更复杂的集成电路。在集成电路封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺需要的装备就是晶片减薄机。

当然了，在实际的生产过程中，硅晶圆制造需要的设备远远不止这些。之所以光刻机的关注度超越了其它半导体设备，这是由于它的技术难度是最高的，目前仅有荷兰和美国等少数国家拥有核心技术。近年来，国内的企业不断取得突破，在光刻机技术上也取得了不错的成绩，前不久，国产首台超分辨光刻机被研制出来，一时间振奋了国人，随着中国自主研发的技术不断取得进步，未来中国自己生产的晶圆也将不断问世。

二、半导体常用设备？

有晶圆制造设备、半导体封装设备和测试设备。晶圆制造设备是用于生产半导体晶圆的设备，包括光刻机、薄膜沉积设备、离子注入设备等。这些设备能够在硅片上制造出微小的电子元件，如晶体管和电容器等。半导体封装设备用于将制造好的芯片封装成最终的半导体器件，以保护芯片并提供连接引脚。常见的封装设备有贴片机、焊接机、封装机等。测试设备用于对制造好的半导体器件进行功能和性能的测试，以确保其质量和可靠性。测试设备包括测试仪器、测试夹具、测试程序等。这些在半导体产业中起到至关重要的作用。晶圆制造设备能够实现芯片的制造，封装设备能够将芯片封装成最终产品，而测试设备则能够确保产品的质量和性能。这些设备的发展和创新不仅推动了半导体技术的进步，也促进了电子产品的发展和普及。

三、深圳华腾半导体设备有限公司在行业内处于什么位置？

请问现在是在里面上班了吗？

四、半导体：半导体设备行业高景气？

由于半导体设备制造公司看手头订单量的主要数据是存货和预付款，而技术实力的增长主要是研发支出，所以本篇从这两个方面进行分析

（一）存货

由上述数据可见，目前北方华创的在手未发出订单所产生的存货一直是在稳定向上增长的，不过存货上涨幅度有所减缓，而中微公司从2019年第四季度开始进入存货负增长阶段，而2020年一季报更是大幅度负增长

在这里还有另外一个问题，两者2019年的存货增长幅度均大幅低于预期，北方华创相比之下低于预期的幅度较低（低于预期20%），而中微公司的存货就是大幅度低于预期了（低于预期37%），未来还是要看半年报的数据是否能够支持中微公司的股价上行

（二）预收款

由于会计准则改变，以往的预收款在2020年一季度改成合同负债，中微公司从2019年起预收款由于产能受限，无大幅度预收款增长，而北方华创在2020年一季度预收款大幅增长，进入业务高速扩张期，多平台业务全面开花

（三）研发投入

北方华创3年来研发投入一直维持大幅增长的势头，而中微公司在2019年研发投入仅小幅增长

上图研发费用预期为2019年下半年的研发费用预期，北方华创研发费用增长大幅高于预期（高于预期31.25%），而中微仅小幅高于预期

北方华创在维持较高的研发资本化的情况下，研发费用仍然大幅度增长

在半导体设备行业高速发展的4年时间中，随着两家龙头企业营收的不断增长，研发投入占营收比必然是不断在下降的，但是北方华创在2019年不仅研发投入占营收比没有下降，还进一步的出现增长

总结：如果就这三个方面的数据而言，我必然更倾向于北方华创会在短期内优于中微公司，中微公司受限于产能无法在短期内取得营收的大幅度增长，但是北方华创在多次融资和项目的先发优势下，已经进入了资本兑现的时期，高速发展不足以形容现在的北方华创，我个人更倾向于用中国半导体一个璀璨的明珠这句话来形容北方华创

五、泛林半导体设备技术（上海）有限公司介绍？

简介：泛林半导体设备技术（上海）有限公司成立于2001年10月31日，主要经营范围为半导体设备的安装、调试、维修，提供相关的技术服务，计算机软件开发，销售自产产品等。

法定代表人：LIU ERZHUANG成立时间：2001-10-31注册资本：20万美元工商注册号：310115400085646企业类型：有限责任公司（外国法人独资）

公司地址：中国（上海）自由贸易试验区碧波路177号101室

六、翼龙半导体设备大连有限公司怎样？

翼龙半导体设备大连有限公司是一家成立于2021年07月19日的公司，法定代表人是于洋，注册资本是500万(元)，统一社会信用代码/工商注册号/营业执照号码为91210242MA117PNU84，注册地址位于辽宁省大连保税区洞庭路1号自贸大厦705G-17，注册地址位于辽宁省大连保税区洞庭路1号自贸大厦705G-17，属于计算机、通信和其他电子设备制造业。

关于公司经营现状，翼龙半导体设备大连有限公司目前的经营状态为存续(在营、开业、在册)。

七、矽电半导体设备深圳股份有限公司生产什么设备？

矽电半导体设备（深圳）股份有限公司成立于2003年，是一家专注于研发、生产及销售半导体检测设备的高新科技企业。

产品：全自动探针台、倒装LED探针测试一体机

公司由海外博士及国内专家团队联合创办，2006年获评为“自主创新型留学生企业”，2008年至今均获得国家级高新技术企业认定，2009年-2011年荣获“龙岗区科技创新奖”，是广东省高精密半导体探针台工程技术研究中心，也是龙岗区青年职业见习基地。

八、半导体设备知识讲解？

半导体设备是用于制造半导体器件和集成电路的设备。这些设备在半导体制造过程中扮演着至关重要的角色，包括晶圆制造、封装和测试等环节。以下是一些常见的半导体设备：

1. 光刻机：光刻机是半导体制造中最关键的设备之一，用于在硅片上印制图案，以便制造半导体器件。

2. 刻蚀机：刻蚀机用于在硅片上刻蚀出所需的图案，以便制造半导体器件。

3. 清洗设备：清洗设备用于清洗硅片表面的杂质和污染物，以确保制造的半导体器件的质量。

4. 氧化设备：氧化设备用于在硅片表面形成氧化层，以便制造半导体器件。

5. 薄膜沉积设备：薄膜沉积设备用于在硅片表面沉积各种薄膜，如金属、绝缘体和半导体材料等。

6. 测试设备：测试设备用于测试制造的半导体器件的性能和质量，以确保其符合要求。

7. 封装设备：封装设备用于将制造好的半导体器件封装在保护壳中，以便在电路板上使用。

这些设备都需要高度的精度和可靠性，以确保制造的半导体器件的质量和性能。随着半导体技术的不断发展，半导体设备也在不断升级和改进，以满足更高的制造要求。

九、生产半导体的设备？

半导体生产过程中的主要设备：

1、单晶炉。设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。

2、气相外延炉。设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。

3、分子束外延系统。设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。

4、氧化炉（VDF）。设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。

5、低压化学气相淀积系统。设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。

6、等离子体增强化学气相淀积系统。设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。

7、磁控溅射台。设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。

十、efem半导体设备介绍？

EFEM具有独特的技术优势，能够满足集成电路制造过程中的晶圆传输需求。

果纳半导体设备前端模块EFEM采用固定式多关节单臂双叉型机器人，具有更高的稳定性、传片效率，能够满足长期使用的高洁净度要求；具有优异的内部气流导向结构设计，保证了内部空间微环境的洁净度满足ISO Class 1级别要求，甚至能达到更高的无尘要求，因此在设计阶段对系统整体的稳定性要求非常高。

不仅如此，EFEM还可以根据需求订制晶圆承载台数量，兼容所有符合 SEMI 标准的 FOUP、FOSB 、SMIF和OC料盒 。